EVALPSE1BF12SICTOBO1
Płytka ewaluacyjna, FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B1, MOSFET SiC
Potrzebujesz więcej?
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 1 106,820 zł |
Informacje o produkcie
Specyfikacja
Płytka ewaluacyjna dla modułów półmostkowych CoolSiC™ Easy1B. Umożliwia ewaluację modułów MOSFET FF11MR12W1M1_B11 i FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC™ z izolowanym sterownikiem bramki EiceDRIVER™ 1200V 1EDI60I12AF. Płytka ta umożliwia także wykonywanie pomiarów dwuimpulsowych, a także testów funkcjonalnych jako konwerter DC/DC - jest zaprojektowana jako dwukierunkowy konwerter buck-boost. Docelowe obszary zastosowania: ładowarki, systemy energii słonecznej i UPS.
- Charakterystyka podwójnego impulsu
- Testy funkcjonalne działania buck-boost przy użyciu obciążeń elektrycznych na etapie wejściowym lub wyjściowym
- Maksymalne napięcie zasilania: 900V
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt przyczyniło się do wydłużenia czasu realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Infineon
Zarządzanie zasilaniem
Płytka ewaluacyjna FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B11
No SVHC (21-Jan-2025)
FF11MR12W1M1_B11, FF23MR12W1M1_B11
moduł SiC MOSFET
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
RoHS
RoHS
Świadectwo zgodności produktu