Drukuj stronę
NXV08V080DB1
Tranzystor MOSFET, 130 A, 80 V, 3000 µohm, 10 V, 4 V
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaNXV08V080DB1
Nr katalogowy Farnell3617527
Twój numer części
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 13 tydzień (tygodnie)
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 44+ | 73,720 zł |
Cena netto dlatuba 1
Minimum: 44
Wiele: 44
3 243,68 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNXV08V080DB1
Nr katalogowy Farnell3617527
Karta katalogowa
Typ kanału-
Prąd ciągły Id drenu130A
Napięcie drenu / źródła Vds80V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”3000µohm
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs4V
Rozproszenie mocy-
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
-
Napięcie drenu / źródła Vds
80V
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
-
Asortyment produktów
-
Prąd ciągły Id drenu
130A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
3000µohm
Napięcie progowe Vgs
4V
Temperatura robocza, maks.
175°C
Substancje SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.1
Śledzenie produktu