FDS4435BZ

FDS4435BZ to P-kanałowy MOSFET PowerTrench® -30V, który został specjalnie dopasowany w celu zminimalizowania rezystancji stanu „on" i do utrzymania niskiego ładunku bramki dla najwyższej wydajności przełączania. Najnowszy MOSFET mocy średniego napięcia - od firmy Fairchild - jest zoptymalizowany do przełączników zasilania, które są połączeniem małego ładunku bramki (QG), mały ładunek regeneracyjny (Qrr) oraz kompensacją diody z korpusem, co przyczynia się do szybkiego przełączania dla prostowania synchronicznego w zasilaczach AC/DC. Wykorzystuje strukturę bramki ekranowanej, która zapewnia balans ładowania. Dzięki wykorzystaniu tej technologii zaawansowanej, współczynnik jakości (QGxRDS(ON)) tych układów jest 66% mniejsza niż tych poprzedniej generacji. Wydajność diody z miękkim korpusem nowej wersji MOSFET PowerTrench® pozwala wyeliminować układ zabezpieczający lub zastąpić wyższe napięcie znamionowe - MOSFET potrzebuje układu, ponieważ może zminimalizować niepożądane szczytowe wartości napięciowe prostowania synchronicznego. Produkt ten jest zastosowania ogólnego; jest odpowiedni do wielu różnych aplikacji.

• Zwiększony zakres VGSS (-25 V) do aplikacji na baterie
• Poziom zabezpieczenia HBM ESD: typowo ±3,8 kV
• Wysokowydajna technologia Trench dla bardzo niskiej wartości RDS(on)
• Zdolność obsługi wysokiej wartości mocy oraz prądu