Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaM93C66-WMN6P
Nr katalogowy Farnell9882758
Asortyment produktów4Kbit Microwire Serial EEPROM
Karta katalogowa
1 472 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,990 zł |
| 10+ | 0,950 zł |
| 100+ | 0,890 zł |
| 500+ | 0,850 zł |
| 1000+ | 0,830 zł |
| 5000+ | 0,800 zł |
| 10000+ | 0,780 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 5
Wiele: 5
4,95 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaM93C66-WMN6P
Nr katalogowy Farnell9882758
Asortyment produktów4Kbit Microwire Serial EEPROM
Karta katalogowa
Gęstość pamięci4Kbit
Konfiguracja pamięci512 x 8bit
Interfejsymikroprzewód
Maks. częstotliwość zegara2MHz
Obudowa układu ICSOIC
Liczba pinów8Pins
Napięcie zasilania, min.2.5V
Napięcie zasilania, maks.5.5V
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Asortyment produktów4Kbit Microwire Serial EEPROM
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
The M93C66-WMN6P is a 4Kbit Electrically Erasable Programmable Memory (EEPROM) device accessed through the MICROWIRE bus protocol. The memory array can be configured either in bytes (x8b) or in words (x16b). It operate with a clock frequency of 2MHz (or less), over an ambient temperature range of -40/+85°C.
- Industry standard MICROWIRE bus
- Dual organization by word (x16) or byte (x8)
- Programming instructions that work on byte, word or entire memory
- 5ms Self-timed programming cycle with auto-erase
- READY/BUSY signal during programming
- 2MHz Clock rate
- Sequential read operation
- Enhanced ESD/latch-up behaviour
- More than 4 million write cycles
- More than 200-year data retention
Specyfikacje techniczne
Gęstość pamięci
4Kbit
Interfejsy
mikroprzewód
Obudowa układu IC
SOIC
Napięcie zasilania, min.
2.5V
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
85°C
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Konfiguracja pamięci
512 x 8bit
Maks. częstotliwość zegara
2MHz
Liczba pinów
8Pins
Napięcie zasilania, maks.
5.5V
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
4Kbit Microwire Serial EEPROM
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze M93C66-WMN6P
Znaleziono 2 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423261
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00068
Śledzenie produktu