STPSC4H065B-TR

Krzemowo-karbidowe diody Schottky’ego firmy STMicroelectronics korzystają z imponującej wydajności SiC nad standardowym krzemem. Oferuje podwójną lub potrójną wartość pasma wzbronionego w porównaniu z krzemem. Oznacza to, że układy SiC mają zdolność tolerancji wyższych wartości napięciowych oraz pół elektrycznych. Niewielki czas odzyskiwania zdolności zaporowych zwiększa wydajność we wszystkich systemach dzięki niskiemu napięciu przewodzenia. Czyni do diody krzemowo-karbidowe firmy ST głównym czynnikiem oszczędzania energii. Oszczędności te spotykane są w aplikacjach SMPS, jak również konwersji energii słonecznej, w stacjach ładunkowych EV lub HEV i wielu innych. Produkt ten ma wartości w zakresie 600V do 1200Vin, dla obudów przewlekanych oraz SMD.