Tranzystory bipolarne (BJT) - pojedyncze

: Znaleziono 5 104 produktów
Rozmieszczenie filtrów:
0 Filtr(y) wybrany(-e):
Znaleziono 5 104 produktów Kliknij przycisk „Zastosuj filtry”, aby zaktualizować wyniki
Min./maks. Dostępność

Zaznaczenie pola wyboru „Zapamiętaj” spowoduje zapisanie ostatnich preferencji filtrowania i użycie ich w kolejnych wyszukiwaniach.

Zgodność
Min./maks. Biegunowość tranzystora
Min./maks. Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
Min./maks. Częstotliwość przejścia ft
Min./maks. Straty mocy Pd
Min./maks. Prąd kolektora DC
Min./maks. Wzmocnienie prądu DC hFE
Min./maks. Rodzaj obudowy tranzystora
Min./maks. Liczba pinów
Min./maks. Temperatura robocza, maks.
Min./maks. Asortyment produktów
Min./maks. Kwalifikacja motoryzacyjna

Ceny umowne nie są w tej chwili dostępne. Podane ceny są standardowymi cenami detalicznymi, ceny umowne zostaną zastosowane do złożonych zamówień w trakcie ich przetwarzania.

 
Porównaj wybrane produkty Porównaj
Więcej parametrów Atrybuty
Dodaj właściwości do tabeli

Wybierz właściwości, które chcesz dodać do kolumn na końcu tabeli.

  Nr części producenta Nr katalogowy Farnell Opis / Producent
Dostępność Cena netto dla
Cena
Ilość
Biegunowość tranzystora Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo Częstotliwość przejścia ft Straty mocy Pd Prąd kolektora DC Wzmocnienie prądu DC hFE Rodzaj obudowy tranzystora Liczba pinów Temperatura robocza, maks. Asortyment produktów Kwalifikacja motoryzacyjna
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
BCV47,215
BCV47,215 - Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 60 V, 220 MHz, 250 mW, 500 mA, 10000 hFE

1081260

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 60 V, 220 MHz, 250 mW, 500 mA, 10000 hFE

NEXPERIA

sztuka (dostarczane na taśmie ciętej)

Taśma cięta

5+ 1,38 zl 50+ 1,26 zl 100+ 0,57 zl 500+ 0,40 zl 1500+ 0,36 zl

Pozycja objęta ograniczeniami
DODAJ
Min: 5 Mult: 5
NPN 60V 220MHz 250mW 500mA 10000hFE SOT-23 3piny/-ów 150°C - -
BCX19,215
BCX19,215 - Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, uniwersalny, NPN, 45 V, 250 mW, 500 mA, 100 hFE

1081272

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, uniwersalny, NPN, 45 V, 250 mW, 500 mA, 100 hFE

NEXPERIA

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 45V
Straty mocy Pd 250mW

+ Zobacz wszystkie informacje o produkcie

NEXPERIA 

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, uniwersalny, NPN, 45 V, 250 mW, 500 mA, 100 hFE

+ Sprawdź stany magazynowe i terminy dostaw

1 800 w magazynie do dostawy następnego dnia (Liege stock): 00 (dla elementów do ponownego nawinięcia na szpule 17:30) poniedziałek- piątek (z wyjątkiem dni świątecznych)

16 154 w magazynie do dostawy następnego dnia (UK stock): 00 (dla elementów do ponownego nawinięcia na szpule 17:30) poniedziałek- piątek (z wyjątkiem dni świątecznych)

Większa dostępność magazynowa od: 30.11.20

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 45V
Częstotliwość przejścia ft -
Straty mocy Pd 250mW
Prąd kolektora DC 500mA
Wzmocnienie prądu DC hFE 100hFE
Rodzaj obudowy tranzystora SOT-23
Liczba pinów 3piny/-ów
Temperatura robocza, maks. 150°C
Asortyment produktów -
Kwalifikacja motoryzacyjna -

17 954 W magazynie

5+ 0,84 zł Cena dla 25+ 0,82 zł Cena dla 100+ 0,34 zł Cena dla 250+ 0,31 zł Cena dla 500+ 0,30 zł Cena dla 1000+ 0,16 zł Cena dla 5000+ 0,14 zł Cena dla Więcej cen

Ilość
Zobacz dodatkową ofertę produktów Avnet

sztuka (dostarczane na taśmie ciętej)

Taśma cięta

5+ 0,84 zl 25+ 0,82 zl 100+ 0,34 zl 250+ 0,31 zl 500+ 0,30 zl 1000+ 0,16 zl 5000+ 0,14 zl Więcej cen

Pozycja objęta ograniczeniami
DODAJ
Min: 5 Mult: 5
NPN 45V - 250mW 500mA 100hFE SOT-23 3piny/-ów 150°C - -
BC32740BU
BC32740BU - Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 170 hFE

2453777

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 170 hFE

ON SEMICONDUCTOR

Biegunowość tranzystora PNP
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo -45V
Częstotliwość przejścia ft 100MHz

+ Zobacz wszystkie informacje o produkcie

ON SEMICONDUCTOR 

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 170 hFE

+ Sprawdź stany magazynowe i terminy dostaw

2 846 w magazynie do dostawy następnego dnia (Liege stock): 00 (dla elementów do ponownego nawinięcia na szpule 17:30) poniedziałek- piątek (z wyjątkiem dni świątecznych)

5 672 w magazynie do dostawy następnego dnia (UK stock): 00 (dla elementów do ponownego nawinięcia na szpule 17:30) poniedziałek- piątek (z wyjątkiem dni świątecznych)

  • 10 000 więcej będzie dostępnych 26.09.20
  • Większa dostępność magazynowa od: 19.10.20

    Biegunowość tranzystora PNP
    Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo -45V
    Częstotliwość przejścia ft 100MHz
    Straty mocy Pd 625mW
    Prąd kolektora DC -800mA
    Wzmocnienie prądu DC hFE 170hFE
    Rodzaj obudowy tranzystora TO-92
    Liczba pinów 3piny/-ów
    Temperatura robocza, maks. 150°C
    Asortyment produktów -
    Kwalifikacja motoryzacyjna -

    8 518 W magazynie

    5+ 0,96 zł Cena dla 25+ 0,94 zł Cena dla 100+ 0,37 zł Cena dla 250+ 0,34 zł Cena dla 500+ 0,27 zł Cena dla 1000+ 0,19 zł Cena dla 5000+ 0,19 zł Cena dla Więcej cen

    Ilość
    Zobacz dodatkową ofertę produktów Avnet

    sztuka

    5+ 0,96 zl 25+ 0,94 zl 100+ 0,37 zl 250+ 0,34 zl 500+ 0,27 zl 1000+ 0,19 zl 5000+ 0,19 zl Więcej cen

    Pozycja objęta ograniczeniami
    DODAJ
    Min: 5 Mult: 5
    PNP -45V 100MHz 625mW -800mA 170hFE TO-92 3piny/-ów 150°C - -
    MJL21193G
    MJL21193G - Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, audio, PNP, 250 V, 4 MHz, 200 W, 16 A, 75 hFE

    9555781

    Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, audio, PNP, 250 V, 4 MHz, 200 W, 16 A, 75 hFE

    ON SEMICONDUCTOR

    Biegunowość tranzystora PNP
    Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 250V
    Częstotliwość przejścia ft 4MHz

    + Zobacz wszystkie informacje o produkcie

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, audio, PNP, 250 V, 4 MHz, 200 W, 16 A, 75 hFE

    + Sprawdź stany magazynowe i terminy dostaw

    106 w magazynie do dostawy następnego dnia (UK stock): 00 (dla elementów do ponownego nawinięcia na szpule 17:30) poniedziałek- piątek (z wyjątkiem dni świątecznych)

  • 96 więcej będzie dostępnych 07.10.20
  • Większa dostępność magazynowa od: 16.11.20

    Biegunowość tranzystora PNP
    Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 250V
    Częstotliwość przejścia ft 4MHz
    Straty mocy Pd 200W
    Prąd kolektora DC 16A
    Wzmocnienie prądu DC hFE 75hFE
    Rodzaj obudowy tranzystora TO-264
    Liczba pinów 3piny/-ów
    Temperatura robocza, maks. 150°C
    Asortyment produktów -
    Kwalifikacja motoryzacyjna -

    681 W magazynie

    1+ 22,66 zł Cena dla 10+ 17,34 zł Cena dla 100+ 13,86 zł Cena dla 250+ 13,07 zł Cena dla 500+ 12,36 zł Cena dla 1000+ 10,43 zł Cena dla Więcej cen

    Ilość
    Zobacz dodatkową ofertę produktów Avnet

    sztuka

    1+ 22,66 zl 10+ 17,34 zl 100+ 13,86 zl 250+ 13,07 zl 500+ 12,36 zl 1000+ 10,43 zl Więcej cen

    Pozycja objęta ograniczeniami
    DODAJ
    Min: 1 Mult: 1
    PNP 250V 4MHz 200W 16A 75hFE TO-264 3piny/-ów 150°C - -
    MJE15034G
    MJE15034G - Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, audio, NPN, 350 V, 30 MHz, 50 W, 4 A, 100 hFE

    2101379

    Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, audio, NPN, 350 V, 30 MHz, 50 W, 4 A, 100 hFE

    ON SEMICONDUCTOR

    Biegunowość tranzystora NPN
    Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 350V
    Częstotliwość przejścia ft 30MHz

    + Zobacz wszystkie informacje o produkcie

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, audio, NPN, 350 V, 30 MHz, 50 W, 4 A, 100 hFE

    + Sprawdź stany magazynowe i terminy dostaw

    172 w magazynie do dostawy następnego dnia (Liege stock): 00 (dla elementów do ponownego nawinięcia na szpule 17:30) poniedziałek- piątek (z wyjątkiem dni świątecznych)

    198 w magazynie do dostawy następnego dnia (UK stock): 00 (dla elementów do ponownego nawinięcia na szpule 17:30) poniedziałek- piątek (z wyjątkiem dni świątecznych)

    Większa dostępność magazynowa od: 12.10.20

    Biegunowość tranzystora NPN
    Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 350V
    Częstotliwość przejścia ft 30MHz
    Straty mocy Pd 50W
    Prąd kolektora DC 4A
    Wzmocnienie prądu DC hFE 100hFE
    Rodzaj obudowy tranzystora TO-220AB
    Liczba pinów 3piny/-ów
    Temperatura robocza, maks. 150°C
    Asortyment produktów -
    Kwalifikacja motoryzacyjna -

    1 170 W magazynie

    1+ 6,42 zł Cena dla 10+ 5,02 zł Cena dla 100+ 3,59 zł Cena dla 250+ 3,48 zł Cena dla 500+ 3,04 zł Cena dla 1000+ 2,44 zł Cena dla 5000+ 2,39 zł Cena dla Więcej cen

    Ilość
    Zobacz dodatkową ofertę produktów Avnet

    sztuka

    1+ 6,42 zl 10+ 5,02 zl 100+ 3,59 zl 250+ 3,48 zl 500+ 3,04 zl 1000+ 2,44 zl 5000+ 2,39 zl Więcej cen

    Pozycja objęta ograniczeniami
    DODAJ
    Min: 1 Mult: 1
    NPN 350V 30MHz 50W 4A 100hFE TO-220AB 3piny/-ów 150°C - -
    BC847,215
    BC847,215 - Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, uniwersalny, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 110 hFE

    1081230

    Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, uniwersalny, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 110 hFE

    NEXPERIA

    Biegunowość tranzystora NPN
    Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 45V
    Częstotliwość przejścia ft 100MHz

    + Zobacz wszystkie informacje o produkcie

    NEXPERIA 

    Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, uniwersalny, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 110 hFE

    + Sprawdź stany magazynowe i terminy dostaw

    20 028 w magazynie do dostawy następnego dnia (Liege stock): 00 (dla elementów do ponownego nawinięcia na szpule 17:30) poniedziałek- piątek (z wyjątkiem dni świątecznych)

    83 260 w magazynie do dostawy następnego dnia (UK stock): 00 (dla elementów do ponownego nawinięcia na szpule 17:30) poniedziałek- piątek (z wyjątkiem dni świątecznych)

    Większa dostępność magazynowa od: 28.09.20

    Biegunowość tranzystora NPN
    Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 45V
    Częstotliwość przejścia ft 100MHz
    Straty mocy Pd 250mW
    Prąd kolektora DC 100mA
    Wzmocnienie prądu DC hFE 110hFE
    Rodzaj obudowy tranzystora SOT-23
    Liczba pinów 3piny/-ów
    Temperatura robocza, maks. 150°C
    Asortyment produktów Seria BC847
    Kwalifikacja motoryzacyjna -

    292 288 W magazynie

    5+ 0,55 zł Cena dla 50+ 0,54 zł Cena dla 100+ 0,19 zł Cena dla 500+