Drukuj stronę
REFDAB11KIZSICSYSTOBO1
Płytka projektu referencyjnego, IMZ120R030M1H/IMBF170R1K0M1, dwukierunkowa przetwornica DC-DC CLLC
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaREFDAB11KIZSICSYSTOBO1
Nr katalogowy Farnell3766011
Inna nazwaSP005556834
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 28 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 6 827,960 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
6 827,96 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaREFDAB11KIZSICSYSTOBO1
Nr katalogowy Farnell3766011
Inna nazwaSP005556834
Karta katalogowa
Producent chipuInfineon
Numer rdzenia chipuIMZ120R030M1H, IMBF170R1K0M1, XMC4400-F100k512 BA
Rodzaj zastosowania zestawuZarządzanie zasilaniem
Podtyp zastosowaniadwukierunkowa przetwornica DC-DC CLLC
Architektura rdzeniaARM
Sub-architektura rdzeniaCortex-M4
Nazwa rodziny chipu-
Zawartość zestawuMain power board, Auxiliary power board, Controller Board
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
REFDAB11KIZSICSYSTOBO1 to płytka rezonansowego konwertera DC/DC CLLC, o mocy do 11 kW i napięciu wyjściowym 800 V. Dzięki wysoce wydajnemu, dwukierunkowemu przepływowi mocy i miękkiemu przełączaniu stanowi wygodny moduł do szybkiego prototypowania ładowarek dla pojazdów elektrycznych i systemów magazynowania energii.
- 11 kW przy pełnym zakresie napięcia wyjściowego
- Możliwość dwukierunkowego przepływu mocy
- Wysoka sprawność szczytowa: ponad 97,2%
- Duża gęstość mocy: 4,1 kW/l
- Prostowanie synchroniczne
- Tranzystory MOSFET CoolSiC™ 1200 V i 1700 V
Specyfikacje techniczne
Producent chipu
Infineon
Rodzaj zastosowania zestawu
Zarządzanie zasilaniem
Architektura rdzenia
ARM
Nazwa rodziny chipu
-
Asortyment produktów
-
Numer rdzenia chipu
IMZ120R030M1H, IMBF170R1K0M1, XMC4400-F100k512 BA
Podtyp zastosowania
dwukierunkowa przetwornica DC-DC CLLC
Sub-architektura rdzenia
Cortex-M4
Zawartość zestawu
Main power board, Auxiliary power board, Controller Board
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:84733020
US ECCN:3A991.a.2
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.25