Drukuj stronę
NXH006P120MNF2PTG
MOSFET - węglik krzemu, EliteSiC, półmostek, Kanał typu N, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
52 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 678,530 zł |
| 5+ | 664,950 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
678,53 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNXH006P120MNF2PTG
Nr katalogowy Farnell3766231
Karta katalogowa
Konfiguracja MOSFETpółmostek
Typ kanałuKanał typu N
Prąd ciągły Id drenu304A
Napięcie drenu / źródła Vds1.2kV
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”5480µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Liczba pinów36Pins
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)20V
Napięcie progowe Vgs2.83V
Rozproszenie mocy950W
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja MOSFET
półmostek
Prąd ciągły Id drenu
304A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
5480µohm
Liczba pinów
36Pins
Napięcie progowe Vgs
2.83V
Temperatura robocza, maks.
175°C
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds
1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
20V
Rozproszenie mocy
950W
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.09
Śledzenie produktu