Drukuj stronę
CSD23202W10T
MOSFET mocy, Kanał typu P, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
672 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 3,980 zł |
| 10+ | 2,760 zł |
| 100+ | 1,790 zł |
| 500+ | 1,300 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
19,90 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentTEXAS INSTRUMENTS
Nr części producentaCSD23202W10T
Nr katalogowy Farnell3125067
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds12V
Prąd ciągły Id drenu2.2A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.044ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraDSBGA
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs600mV
Rozproszenie mocy1W
Liczba pinów4Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Specyfikacja
The CSD23202W10T is a NexFET™ P-channel Power MOSFET designed to deliver the lowest ON-resistance and gate charge in a small 1 × 1mm outline. It has excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low profile 0.62mm height
- 3kV Gate ESD protection
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
2.2A
Rodzaj obudowy tranzystora
DSBGA
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
1W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Napięcie drenu / źródła Vds
12V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.044ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
600mV
Liczba pinów
4Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0005
Śledzenie produktu