Drukuj stronę
AS25F304MD-10S1IN
Pamięć flash, Szeregowa NOR, 4 MB, 512K x 8 bitów, SPI, NSOIC, 8 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentALLIANCE MEMORY
Nr części producentaAS25F304MD-10S1IN
Nr katalogowy Farnell4313447
Asortyment produktów3V Serial NOR Flash Memories
Karta katalogowa
90 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 4,030 zł |
| 10+ | 3,620 zł |
| 50+ | 3,550 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
4,03 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentALLIANCE MEMORY
Nr części producentaAS25F304MD-10S1IN
Nr katalogowy Farnell4313447
Asortyment produktów3V Serial NOR Flash Memories
Karta katalogowa
Typ pamięci flashSzeregowa NOR
Gęstość pamięci4MB
Konfiguracja pamięci512K x 8 bitów
InterfejsySPI
Obudowa układu ICNSOIC
Liczba pinów8Pins
Maks. częstotliwość zegara104MHz
Czas dostępu-
Napięcie zasilania, min.2.7V
Napięcie zasilania, maks.3.6V
Napięcie zasilania, znamionowe3.3V
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Asortyment produktów3V Serial NOR Flash Memories
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 3 - 168 godzin
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
AS25F304MD-10S1IN is a 4Megabit serial NOR flash memory supporting the standard serial peripheral interface (SPI), and supports the dual SPI: serial clock, chip select, serial data I/O0 (DI), I/O1 (DO), W. The dual I/O data is transferred with speed of 208Mbits/s.
- 3.3V voltage, 4Mb density, dual SPI, 104MHz speed
- Input leakage current is ±2µA maximum at (TA = -40°C to +85°C, VCC= 2.7V to 3.6V)
- Standby current is 8µA typical at (TA = -40°C to +85°C, VCC= 2.7V to 3.6V)
- Deep power-down current is 0.6µA typical at (TA = -40°C to +85°C, VCC= 2.7V to 3.6V)
- Operating current (0B read) is 4.4mA maximum at (CLK=0.1VCC / 0.9VCC at 104MHz)
- Serial clock rise time (slew rate) is 0.1V/ns minimum at (TA = -40°C to +85°C, VCC= 2.7V to 3.6V)
- Minimum 100,000 program/erase cycles, top/bottom block protection
- 3x512-Byte security registers with OTP locks, discoverable parameters (SFDP) register
- Page programming time is 2ms typical at (TA = -40°C to +85°C, VCC= 2.7V to 3.6V)
- Ambient operating temperature range from -40°C to 85°C, 8-lead SOIC package
Specyfikacje techniczne
Typ pamięci flash
Szeregowa NOR
Konfiguracja pamięci
512K x 8 bitów
Obudowa układu IC
NSOIC
Maks. częstotliwość zegara
104MHz
Napięcie zasilania, min.
2.7V
Napięcie zasilania, znamionowe
3.3V
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
3V Serial NOR Flash Memories
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Gęstość pamięci
4MB
Interfejsy
SPI
Liczba pinów
8Pins
Czas dostępu
-
Napięcie zasilania, maks.
3.6V
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
85°C
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 3 - 168 godzin
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423275
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00125