Drukuj stronę
AS6C4008-55PCN
SRAM, Asynchroniczny, 4 Mbit, 512K x 8 bitów, DIP, 32 piny/-ów, 2.7 V
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentALLIANCE MEMORY
Nr części producentaAS6C4008-55PCN
Nr katalogowy Farnell4260915
Karta katalogowa
52 W Magazynie
182 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 27,050 zł |
| 10+ | 24,980 zł |
| 25+ | 24,690 zł |
| 50+ | 24,350 zł |
| 100+ | 23,760 zł |
| 250+ | 23,000 zł |
| 500+ | 22,240 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
27,05 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentALLIANCE MEMORY
Nr części producentaAS6C4008-55PCN
Nr katalogowy Farnell4260915
Karta katalogowa
Rodzaj pamięci SRAMAsynchroniczny
Gęstość pamięci4Mbit
Konfiguracja pamięci512K x 8 bitów
Obudowa układu ICDIP
Liczba pinów32Pins
Napięcie zasilania, min.2.7V
Napięcie zasilania, maks.5.5V
Napięcie zasilania, znamionowe3V
Maks. częstotliwość zegara-
Montaż układu ICPrzewlekane
Temperatura robocza, min.0°C
Temperatura robocza, maks.70°C
Asortyment produktów-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
AS6C4008-55PCN is a 4,194,304-bit low power CMOS static random access memory organized as 524,288 words by 8bits. It is fabricated using very high performance, high reliability CMOS technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature. It is well designed for very low power system applications, and particularly well suited for battery back-up non-volatile memory application. It operates from a single power supply of 2.7V to 5.5V and all inputs and outputs are fully TTL compatible.
- Access time is 55ns
- Low power consumption: 30mA (typ) operating current, 4µA (typ) standby current
- All outputs TTL compatible
- Fully static operation, tri-state output
- Data retention voltage is 1.5V (minimum)
- 512k x 8 organization, 5V VCC
- 32pin 600mil DIP package
- Commercial operating temperature range from 0°C to 70°C
- Minimalne napięcie zatrzymania danych: 1.5V
- Zakres temperatury roboczej od -40°C do 85°C
Specyfikacje techniczne
Rodzaj pamięci SRAM
Asynchroniczny
Konfiguracja pamięci
512K x 8 bitów
Liczba pinów
32Pins
Napięcie zasilania, maks.
5.5V
Maks. częstotliwość zegara
-
Temperatura robocza, min.
0°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Gęstość pamięci
4Mbit
Obudowa układu IC
DIP
Napięcie zasilania, min.
2.7V
Napięcie zasilania, znamionowe
3V
Montaż układu IC
Przewlekane
Temperatura robocza, maks.
70°C
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.012575