DS1225AB-200+

DS1225AB-200+ to nieulotna pamięć SRAM 64K w 28-pinowej obudowie EDIP. Ta w pełni statyczna, nieulotna pamięć SRAM (16384 bitów) jest zorganizowana w układzie 8192 słów x 8 bitów. Każda NV SRAM posiada samodzielne, litowe źródło zasilania i obwód sterowania, który stale monitoruje VCC pod kątem przekroczenia zakresu tolerancji. W przypadku, gdy wystąpi taka sytuacja, źródło zasilania jest automatycznie włączane. Ochrona przed zapisem jest bezwarunkowo uruchamiana, aby zapobiec uszkodzeniu danych. Nieulotna pamięć SRAM może być używana zamiast pamięci SRAM 8K x 8, zgodnych z popularną, 28-pinową obudową DIP typu bytewide. Układ ma również zgodność pinową z EPROM 2764 i EEPROM 2864, pozwalając na bezpośrednią zamianę przy jednoczesnym zwiększeniu wydajności. Nie ma ograniczenia w liczbie cykli zapisu, które mogą być wykonane. Nie jest także wymagany dodatkowy obwód pomocniczy dla łączenia mikroprocesora.

• Zakres napięcia zasilania od 4,75V do 5,25V
• Zakres temperatury roboczej od 0°C do 70°C
• Dane są automatycznie chronione przy utracie zasilania
• Zamiennik ulotnej, statycznej pamięci RAM lub EEPROM (8K x 8)
• Nieograniczone cykle zapisu
• CMOS małej mocy
• Czas dostępu do odczytu i zapisu: 200ns
• Litowe źródło energii jest rozłączane dla zachowania świeżości aż do momentu zastosowania zasilania po raz pierwszy.

Ostrzeżenia

Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.

Uwagi

Produkty ADI są autoryzowane (i sprzedawane) wyłącznie do użytku przez klienta i nie mogą być odsprzedawane ani w żaden inny sposób przekazywane osobom trzecim.