Informacje o produkcie
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze DS1225Y-150+
Znaleziono 3 produktów
Specyfikacja
DS1225Y-150+ to nieulotna pamięć SRAM 64K w 28-pinowej obudowie DIP. Ta w pełni statyczna, nieulotna pamięć RAM (65536 bitów) jest zorganizowana w układzie 8192 słów x 8 bitów. Każda NV SRAM posiada samodzielne, litowe źródło zasilania i obwód sterowania, który stale monitoruje VCC pod kątem przekroczenia zakresu tolerancji. W przypadku, gdy wystąpi taka sytuacja, źródło zasilania jest automatycznie włączane. Ochrona przed zapisem jest bezwarunkowo uruchamiana, aby zapobiec uszkodzeniu danych. Nieulotna pamięć SRAM może być używana zamiast pamięci SRAM 8K x 8, zgodnych z popularną, 28-pinową obudową DIP typu bytewide. DS1225Y ma również zgodność pinową z EPROM 2764 lub EEPROM 2864, pozwalając na bezpośrednią zamianę przy jednoczesnym zwiększeniu wydajności. Nie ma ograniczenia w liczbie cykli zapisu, które mogą być wykonane. Nie jest także wymagany dodatkowy obwód pomocniczy dla łączenia mikroprocesora.
- Minimalne zatrzymywanie danych: 10 lat przy braku zasilania zewnętrznego
- Dane są automatycznie chronione przy utracie zasilania
- Zamiennik ulotną, statyczną pamięć RAM lub EEPROM (2K x 8)
- Nieograniczone cykle zapisu
- CMOS małej mocy
- Czas dostępu do odczytu i zapisu: 150ns
- Pełny zakres roboczy: ±10%
- Zakres napięcia zasilania od 4,5V do 5,5V
- Zakres temperatury roboczej od 0°C do 70°C
Uwagi
Produkty ADI są autoryzowane (i sprzedawane) wyłącznie do użytku przez klienta i nie mogą być odsprzedawane ani w żaden inny sposób przekazywane osobom trzecim.
Specyfikacje techniczne
SRAM
8K x 8 bitów
150ns
28Pins
5.5V
70°C
64Kbit
-
DIP
4.5V
0°C
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
RoHS
RoHS
Świadectwo zgodności produktu