S29AL008J70TFI010

S29AL008J70TFI010 to pamięć Flash sektora ładowania CMOS (8 MB) w układzie 1048576 bajtów lub 524288 słów. Dane słów występują na DQ15-DQ0, dane bajtów występują na DQ15-DQ0. Układ ten jest zaprojektowany do wewnątrzsystemowego programowania za pomocą standardowego zasilania 3VCC. Układ można programować z wykorzystaniem standardowych programatorów EPROM. Zapewnia czasy dostępu na poziomie do 70 ns, co umożliwia użytkowanie mikroprocesorów dużej prędkości bez przestojów. Układ posiada osobne opcje kontroli chip enable (CE#), write enable (WE#), a także output enable (OE#). Układ wymaga tylko pojedynczego zasilania 3 V dla funkcji odczytu oraz zapisu. Napięcia generowane oraz regulowane wewnętrznie są odpowiednie do operacji programowania i wymazywania. S29AL008J jest zestawem poleceń kompatybilnym ze standardem JEDEC pojedynczego zasilania Flash. Polecenia są zapisane do rejestru poleceń za pomocą pomiarów czasu mikroprocesora.

• Układ z nasuwką górną
• Wyprodukowano z wykorzystaniem technologii procesowej 110 nm - produkt w pełni kompatybilny z 200 nm S29AL008D
• Zabezpieczony sektor krzemowy
• Elastyczna architektura sektora
• Blokada sprzętowa sektora, aby zapobiec programowaniu lub wymazywaniu z sektora
• Redukuje całkowity czas programowania przy wielu sekwencjach poleceń programowych
• Kompatybilność pinowa i oprogramowania za pomocą pamięci Flash z pojedynczym zasilaniem
• Najwyższy poziom zabezpieczenia przed zapisem
• Duża wydajność
• Ultraniskie zużycie energii
• Trwałość: typowo 1000000 cykli na sektor
• Zatrzymanie danych: 20 lat (typowo)
• Zawieszanie / przywracane wymazywania
• Zbieranie danych i przerzucanie bitów
• Metoda sprzętowa detekcji ukończenia cyklu programowania lub wymazywania
• Metoda sprzętowa do resetu układu w celu umożliwienia odczytu danych