Drukuj stronę
DMG1026UV
MOSFET mocy, ze wzboaceniem (enhancement mode), Kanał typu N, 60 V, 410 mA, 1.8 ohm, SOT-563
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentDIODES INC.
Nr części producentaDMG1026UV
Nr katalogowy Farnell2061517RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds60V
Prąd ciągły Id drenu410mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”1.8ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-563
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs500mV
Rozproszenie mocy580mW
Liczba pinów6Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
410mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-563
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
580mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
60V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
1.8ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
500mV
Liczba pinów
6Pins
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000003