Drukuj stronę
FMMT734
Tranzystor Darlingtona, Darlingtona, PNP, 100 V, 625 mW, 800 mA, SOT-23, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 292 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 1,450 zł |
| 500+ | 1,150 zł |
| 1500+ | 1,020 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
165,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentDIODES INC.
Nr części producentaFMMT734
Nr katalogowy Farnell9525106RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPNP
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo100V
Maks. napięcie kolektor-emiter100V
Prąd ciągły kolektora800mA
Rozpraszanie mocy Pd625mW
Prąd kolektora DC800mA
Rozproszenie mocy625mW
Obudowa tranzystora RFSOT-23
Liczba pinów3Pins
Wzmocnienie prądu DC hFE60000hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Min. wzmocnienie prądu DC hFE60000hFE
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
FMMT734 to krzemowy tranzystor mocy PNP typu Darlingtona. Ma straty mocy na poziomie 625mW oraz bardzo wysoką wartość hFE przy wysokiej wartości prądowej (5A).
- Bardzo niska wartość VCE(sat) w wysokiej wartości prądowej (1A)
- Uzupełniający rodzaj NPN (FMMT634)
- Zakres temperatury pracy -55 do 150°C
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie rynkowe na ten produkt spowodowało wydłużenie czasu realizacji - czasy dostaw mogą ulec zmianie
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter
100V
Rozpraszanie mocy Pd
625mW
Rozproszenie mocy
625mW
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
60000hFE
Kwalifikacja
-
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
100V
Prąd ciągły kolektora
800mA
Prąd kolektora DC
800mA
Obudowa tranzystora RF
SOT-23
Wzmocnienie prądu DC hFE
60000hFE
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000033
Śledzenie produktu