Drukuj stronę
AIMBG120R160M1XTMA1
MOSFET - węglik krzemu, pojedyncze, Kanał typu N, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-263HV
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaAIMBG120R160M1XTMA1
Nr katalogowy Farnell4335826RL
Asortyment produktówCoolSiC Series
Inna nazwaAIMBG120R160M1, SP005425531
Karta katalogowa
1 108 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 10+ | 20,760 zł |
| 100+ | 17,180 zł |
| 500+ | 15,950 zł |
| 1000+ | 13,840 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 10
Wiele: 1
227,60 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaAIMBG120R160M1XTMA1
Nr katalogowy Farnell4335826RL
Asortyment produktówCoolSiC Series
Inna nazwaAIMBG120R160M1, SP005425531
Karta katalogowa
Konfiguracja MOSFETpojedyncze
Typ kanałuKanał typu N
Prąd ciągły Id drenu17A
Napięcie drenu / źródła Vds1.2kV
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.2ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-263HV
Liczba pinów7Pins
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)20V
Napięcie progowe Vgs5.1V
Rozproszenie mocy106W
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówCoolSiC Series
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja MOSFET
pojedyncze
Prąd ciągły Id drenu
17A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.2ohm
Liczba pinów
7Pins
Napięcie progowe Vgs
5.1V
Temperatura robocza, maks.
175°C
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds
1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-263HV
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
20V
Rozproszenie mocy
106W
Asortyment produktów
CoolSiC Series
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001