Drukuj stronę
BAT1504RE6152HTSA1
Dioda RF Schottky'ego, Podwójna, poł. szeregowe, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaBAT1504RE6152HTSA1
Nr katalogowy Farnell2787837RL
Inna nazwaBAT 15-04R E6152, SP000960186
Karta katalogowa
3 210 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 1,210 zł |
| 500+ | 0,940 zł |
| 1000+ | 0,840 zł |
| 5000+ | 0,600 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
141,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBAT1504RE6152HTSA1
Nr katalogowy Farnell2787837RL
Inna nazwaBAT 15-04R E6152, SP000960186
Karta katalogowa
Konfiguracja diodyPodwójna, poł. szeregowe
Napięcie wsteczne4V
Prąd przewodzenia110mA
Napięcie przewodzenia300mV
Pojemność diody0.25pF
Rodzaj obudowy diodySOT-23
Liczba pinów3 piny
Sposób montażu diodyMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
Silicon RF Schottky diode suitable for use with mixers and detectors in satellite systems, low noise blocks for Ku bands and security systems.
- Silicon low barrier N-type device with integrated guard ring on-chip for over-voltage protection
- Low inductance and low capacitance
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Reverse series pair pin configuration
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja diody
Podwójna, poł. szeregowe
Prąd przewodzenia
110mA
Pojemność diody
0.25pF
Liczba pinów
3 piny
Temperatura robocza, maks.
150°C
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie wsteczne
4V
Napięcie przewodzenia
300mV
Rodzaj obudowy diody
SOT-23
Sposób montażu diody
Montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000051
Śledzenie produktu