Drukuj stronę
BFP196E6327HTSA1
Bipolarny tranzystor RF, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaBFP196E6327HTSA1
Nr katalogowy Farnell2443518RL
Inna nazwaBFP 196 E6327, SP000011027
Karta katalogowa
10 110 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,390 zł |
| 1000+ | 0,380 zł |
| 5000+ | 0,370 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
215,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBFP196E6327HTSA1
Nr katalogowy Farnell2443518RL
Inna nazwaBFP 196 E6327, SP000011027
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter12V
Częstotliwość przejścia ft8GHz
Rozproszenie mocy250mW
Prąd ciągły kolektora65mA
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-143
Liczba pinów4Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE100hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
NPN silicon RF transistor for low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz at collector currents from 20mA to 80mA.
- Power amplifier for DECT and PCN systems
- fT = 7.5GHz, F = 1.3dB at 900MHz
- Qualified according AEC Q101
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Częstotliwość przejścia ft
8GHz
Prąd ciągły kolektora
65mA
Liczba pinów
4Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
12V
Rozproszenie mocy
250mW
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-143
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
100hFE
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000907
Śledzenie produktu