Drukuj stronę
BFP540FESDH6327XTSA1
Bipolarny tranzystor RF, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaBFP540FESDH6327XTSA1
Nr katalogowy Farnell2480670
Inna nazwaBFP 540FESD H6327, SP000745300
Karta katalogowa
808 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 2,490 zł |
| 10+ | 1,570 zł |
| 100+ | 1,310 zł |
| 500+ | 1,020 zł |
| 1000+ | 0,910 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
2,49 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBFP540FESDH6327XTSA1
Nr katalogowy Farnell2480670
Inna nazwaBFP 540FESD H6327, SP000745300
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter4.5V
Częstotliwość przejścia ft30GHz
Rozproszenie mocy250mW
Prąd ciągły kolektora80mA
Rodzaj obudowy tranzystoraTSFP
Liczba pinów4Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE50hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
BFP 540FESD H6327 jest niskoszumowym, bipolarnym tranzystorem krzemowym RF, który jest zaprojektowany dla zapewnienia dużego wzmocnienia oraz wzmacniania niskoszumowego.
- Wyśmienita wydajność ESD
- Bezhalogenowe
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Częstotliwość przejścia ft
30GHz
Prąd ciągły kolektora
80mA
Liczba pinów
4Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
4.5V
Rozproszenie mocy
250mW
Rodzaj obudowy tranzystora
TSFP
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
50hFE
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000008