Drukuj stronę

BFP650H6327XTSA1

Name: INFINEON BFP650H6327XTSA1
Brand: INFINEON
SKU: 2443516RL
Availability: InStock

Bipolarny tranzystor RF, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343

Date/Lot Code

Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.

ProducentINFINEON

Nr części producentaBFP650H6327XTSA1

Nr katalogowy Farnell2443516RL

Inna nazwaBFP 650 H6327, SP000750406

Karta katalogowa

Data Sheet

Zobacz wszystkie dokumenty techniczne

Rodzaje opakowania

Taśma cięta

Nawijanie na rolkę

Pełna szpula

2 877 W Magazynie

Potrzebujesz więcej?

Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze

Złóż zamówienie przed godziną 17:00

BEZPŁATNA standardowa dostawa

zamówień 0,00 zł i powyżej

Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia

Ilość	Cena (bez VAT)
100+	1,080 zł
500+	1,030 zł
1500+	0,960 zł

Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)

Minimum: 100

Wiele: 5

128,00 zł (bez VAT)

Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł

Uwagi na temat danego wiersza

Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.

Numer Twojej części

Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.

Informacje o produkcie

ProducentINFINEON

Nr części producentaBFP650H6327XTSA1

Nr katalogowy Farnell2443516RL

Inna nazwaBFP 650 H6327, SP000750406

Karta katalogowa

Data Sheet

Biegunowość tranzystoraNPN

Maks. napięcie kolektor-emiter4.5V

Częstotliwość przejścia ft42GHz

Rozproszenie mocy500mW

Prąd ciągły kolektora150mA

Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-343

Liczba pinów4Pins

Min. wzmocnienie prądu DC hFE100hFE

Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy

Temperatura robocza, maks.150°C

Asortyment produktów-

KwalifikacjaAEC-Q101

Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone

Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)

Specyfikacja

The BFP 650 H6327 is a NPN high linearity wideband Bipolar RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. With its high linearity at currents as low as 30mA the device supports energy efficient designs. The typical transition frequency is approximately 42GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 5GHz in amplifier applications. The device is housed in an easy to use plastic package with visible leads.

Linear low-noise driver amplifier
Easy to use
Halogen-free

Ostrzeżenia

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Specyfikacje techniczne

Biegunowość tranzystora

NPN

Częstotliwość przejścia ft

42GHz

Prąd ciągły kolektora

150mA

Liczba pinów

4Pins

Montaż tranzystora

montaż powierzchniowy

Asortyment produktów

Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL

MSL 1 - nieograniczone

Maks. napięcie kolektor-emiter

4.5V

Rozproszenie mocy

500mW

Rodzaj obudowy tranzystora

SOT-343

Min. wzmocnienie prądu DC hFE

100hFE

Temperatura robocza, maks.

150°C

Kwalifikacja

AEC-Q101

Substancje SVHC

No SVHC (21-Jan-2025)

Dokumentacja techniczna (1)

Technical Data Sheet EN

Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska

Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji

Taryfa celna:85412100

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Zgodny z RoHS:Tak

RoHS

Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak

RoHS

Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)

Pobierz certyfikat zgodności produktu

Świadectwo zgodności produktu

Ciężar (kg):.001814

Śledzenie produktu