Drukuj stronę

BFP740FH6327XTSA1

Name: INFINEON BFP740FH6327XTSA1
Brand: INFINEON
SKU: 2443522RL
Availability: InStock

Bipolarny tranzystor RF, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP

Date/Lot Code

Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.

ProducentINFINEON

Nr części producentaBFP740FH6327XTSA1

Nr katalogowy Farnell2443522RL

Inna nazwaBFP 740F H6327, SP000750416

Karta katalogowa

Data Sheet

Zobacz wszystkie dokumenty techniczne

Rodzaje opakowania

Taśma cięta

Nawijanie na rolkę

2 007 W Magazynie

Potrzebujesz więcej?

Dostawa EKSPRESOWA w 1–2 dni robocze

Złóż zamówienie przed godziną 17:00

BEZPŁATNA standardowa dostawa

zamówień 0,00 zł i powyżej

Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia

Ilość	Cena (bez VAT)
100+	0,850 zł
500+	0,820 zł
1000+	0,810 zł
5000+	0,800 zł

Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)

Minimum: 100

Wiele: 1

105,00 zł (bez VAT)

Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł

Uwagi na temat danego wiersza

Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.

Numer Twojej części

Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.

Informacje o produkcie

ProducentINFINEON

Nr części producentaBFP740FH6327XTSA1

Nr katalogowy Farnell2443522RL

Inna nazwaBFP 740F H6327, SP000750416

Karta katalogowa

Data Sheet

Biegunowość tranzystoraNPN

Maks. napięcie kolektor-emiter4V

Częstotliwość przejścia ft45GHz

Rozproszenie mocy160mW

Prąd ciągły kolektora45mA

Rodzaj obudowy tranzystoraTSFP

Liczba pinów4Pins

Min. wzmocnienie prądu DC hFE250hFE

Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy

Temperatura robocza, maks.150°C

Asortyment produktów-

KwalifikacjaAEC-Q101

Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone

Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)

Specyfikacja

The BFP 740F H6327 is a NPN linear wideband Bipolar RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. With its high linearity at currents as low as 10mA, the device supports energy efficient designs. The typical transition frequency is approximately 45GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 10GHz in amplifier applications. The device is housed in a thin small flat plastic package with visible leads.

Very low-noise amplifier
Low power consumption
Halogen-free

Ostrzeżenia

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Specyfikacje techniczne

Biegunowość tranzystora

NPN

Częstotliwość przejścia ft

45GHz

Prąd ciągły kolektora

45mA

Liczba pinów

4Pins

Montaż tranzystora

montaż powierzchniowy

Asortyment produktów

Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL

MSL 1 - nieograniczone

Maks. napięcie kolektor-emiter

Rozproszenie mocy

160mW

Rodzaj obudowy tranzystora

TSFP

Min. wzmocnienie prądu DC hFE

250hFE

Temperatura robocza, maks.

150°C

Kwalifikacja

AEC-Q101

Substancje SVHC

No SVHC (21-Jan-2025)

Dokumentacja techniczna (3)

Application Note EN

Simulation Model EN

Technical Data Sheet EN

Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska

Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji

Taryfa celna:85412100

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Zgodny z RoHS:Tak

RoHS

Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak

RoHS

Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)

Pobierz certyfikat zgodności produktu

Świadectwo zgodności produktu

Ciężar (kg):.000227

Śledzenie produktu