Drukuj stronę
BFR182WH6327XTSA1
Bipolarny tranzystor RF, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaBFR182WH6327XTSA1
Nr katalogowy Farnell2480679
Inna nazwaBFR 182W H6327, SP000750420
Karta katalogowa
6 447 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,520 zł |
| 50+ | 0,300 zł |
| 250+ | 0,250 zł |
| 1000+ | 0,220 zł |
| 5000+ | 0,200 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
2,60 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBFR182WH6327XTSA1
Nr katalogowy Farnell2480679
Inna nazwaBFR 182W H6327, SP000750420
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter12V
Częstotliwość przejścia ft8GHz
Rozproszenie mocy250mW
Prąd ciągły kolektora35mA
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-323
Liczba pinów3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE70hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The BFR 182W H6327 is a NPN low-noise Silicon Bipolar RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1 to 20mA. The device is suitable for amplifier and oscillator applications in RF front-end.
- Halogen-free
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Częstotliwość przejścia ft
8GHz
Prąd ciągły kolektora
35mA
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
12V
Rozproszenie mocy
250mW
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-323
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
70hFE
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000048
Śledzenie produktu