Drukuj stronę
BFR360FH6327XTSA1
Bipolarny tranzystor RF, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaBFR360FH6327XTSA1
Nr katalogowy Farnell2480682RL
Inna nazwaBFR 360F H6327, SP000750428
Karta katalogowa
4 340 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,460 zł |
| 1000+ | 0,460 zł |
| 5000+ | 0,450 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
250,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBFR360FH6327XTSA1
Nr katalogowy Farnell2480682RL
Inna nazwaBFR 360F H6327, SP000750428
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter6V
Częstotliwość przejścia ft14GHz
Rozproszenie mocy210mW
Prąd ciągły kolektora35mA
Rodzaj obudowy tranzystoraTSFP
Liczba pinów3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE90hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The BFR 360F H6327 is a NPN Silicon RF Transistor for low-noise amplifier for low current applications. The device is suitable for amplifier and oscillator applications in RF front-end. The collector design of the device supports 5V supply voltage.
- Low noise figure
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Częstotliwość przejścia ft
14GHz
Prąd ciągły kolektora
35mA
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
6V
Rozproszenie mocy
210mW
Rodzaj obudowy tranzystora
TSFP
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
90hFE
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000008
Śledzenie produktu