Drukuj stronę
BFR740L3RHE6327XTSA1
Bipolarny tranzystor RF, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaBFR740L3RHE6327XTSA1
Nr katalogowy Farnell2480686
Inna nazwaBFR 740L3RH E6327, SP000252393
Karta katalogowa
8 628 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 1,980 zł |
| 10+ | 1,430 zł |
| 100+ | 1,270 zł |
| 500+ | 1,140 zł |
| 1000+ | 1,130 zł |
| 5000+ | 1,110 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
1,98 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBFR740L3RHE6327XTSA1
Nr katalogowy Farnell2480686
Inna nazwaBFR 740L3RH E6327, SP000252393
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter4V
Częstotliwość przejścia ft47GHz
Rozproszenie mocy160mW
Prąd ciągły kolektora40mA
Rodzaj obudowy tranzystoraTSLP
Liczba pinów3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE160hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The BFR 740L3RH E6327 is a NPN wideband RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. It provides a transition frequency fT of 42GHz and is suited for low voltage applications from VHF to 12GHz. Due to its low power consumption the device is very energy efficient and well suited for mobile applications. It is housed in a very thin small leadless package ideal for modules.
- Very low-noise transistor
- High power gain
- Halogen-free
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Częstotliwość przejścia ft
47GHz
Prąd ciągły kolektora
40mA
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
4V
Rozproszenie mocy
160mW
Rodzaj obudowy tranzystora
TSLP
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
160hFE
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000006
Śledzenie produktu