BGA5H1BN6E6327XTSA1

BGA5H1BN6E6327XTSA1 to wzmacniacz o wysokim wzmocnieniu i niskim poziomie szumów przeznaczony do pasma wysokiego LTE. Zastosowanie wzmacniacza niskoszumowego pozwala znacząco zwiększyć prędkość transmisji danych LTE. Układ ma jednoliniowe, dwustanowe sterowanie (tryb obejścia i tryb wysokiego wzmocnienia). Tryb wyłączenia można uaktywnić poprzez odłączenie zasilania VCC. Zintegrowana funkcja obejścia zwiększa dynamiczny zakres systemu i zapewnia większą elastyczność toru RF. W trybie wysokiego wzmocnienia LNA zapewnia najlepszy współczynnik szumów, co gwarantuje wysokie prędkości transmisji nawet na granicy zasięgu sieci LTE. Bliżej stacji bazowej można przełączyć układ w tryb obejścia, aby zmniejszyć pobór prądu.

• Kwalifikacja do zastosowań przemysłowych zgodnie z testami JEDEC47/20/22
• Wyjście RF wewnętrznie dopasowane do 50 omów
• Niewielka liczba komponentów zewnętrznych
• Technologia krzemowo-germanowa B9HF
• Zakres napięcia zasilania od 1,5 do 3,6 V przy TA=25°C, VCC=1,8 V, VC, BP=1,8 V, VC, OFF=0 V, f=2300-2690 MHz
• Typowy zysk mocy wtrąceniowej wynosi 18,1 dB w trybie wysokiego wzmocnienia, przy f = 2500 MHz i VCC = 1,8 V
• Zakres częstotliwości roboczej: od 2300 do 2690 MHz
• Prąd zasilania typowo 8,5 mA (tryb wysokiego wzmocnienia, TA=25°C, VCC=1,8 V, VC,BP=1,8 V, VC,OFF=0 V, f=2300-2690 MHz)
• Ultramała obudowa bez wyprowadzeń TSNP-6-10
• Zakres temperatury otoczenia od -40 do 85°C

Ostrzeżenia

Naprężenia przekraczające podane tutaj wartości maksymalne mogą spowodować trwałe uszkodzenie urządzenia.