Drukuj stronę
BGA7H1N6E6327XTSA1
Wzmacniacz niskoszumowy, LTE, 2,3-2.69 GHz, wzmocnienie 12.5 dB, szum 0.65 dB, 1.5-3.3 V, TSNP-6
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaBGA7H1N6E6327XTSA1
Nr katalogowy Farnell2565692
Inna nazwaBGA 7H1N6 E6327, SP001109130
Karta katalogowa
14 648 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 3,180 zł |
| 10+ | 2,720 zł |
| 100+ | 2,350 zł |
| 500+ | 1,840 zł |
| 1000+ | 1,640 zł |
| 2500+ | 1,590 zł |
| 5000+ | 1,540 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
3,18 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBGA7H1N6E6327XTSA1
Nr katalogowy Farnell2565692
Inna nazwaBGA 7H1N6 E6327, SP001109130
Karta katalogowa
Min. częstotliwość2.3GHz
Maks. częstotliwość2.69GHz
Zysk12.5dB
Współczynnik szumu, typ.0.65dB
Typ obudowy układu scalonego RFTSNP
Liczba pinów6Pins
Napięcie zasilania, min.1.5V
Napięcie zasilania, maks.3.3V
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
BGA7H1N6E6327XTSA1 is a silicon germanium low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 2300MHz to 2690MHz. The LNA provides a 12.5dB gain and 0.60dB noise figure at a current consumption of 4.7mA. The BGA7H1N6 is based upon Infineon Technologies‘ B7HF Silicon germanium technology.
- Digital on/off switch (1V logic high level)
- B7HF silicon germanium technology, RF output internally matched to 50 ohm
- Only 1 external SMD component necessary, 2KV HBM ESD protection (including AI-pin)
- Supply voltage range from 1.5 to 3.3V (A = 25°C, VCC = 1.8V)
- Noise figure is 0.65dB (typ, ZS = 50 ohm, TA = 25°C)
- Reverse isolation is 20dB (typ, TA = 25°C, VCC = 1.8V)
- Stability is <gt/> 1 (typ, f= 20MHz to 10GHz, TA = 25°C)
- Ultra small TSNP-6-2 leadless package
- Ambient temperature range from -40 to 85°C
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Min. częstotliwość
2.3GHz
Zysk
12.5dB
Typ obudowy układu scalonego RF
TSNP
Napięcie zasilania, min.
1.5V
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. częstotliwość
2.69GHz
Współczynnik szumu, typ.
0.65dB
Liczba pinów
6Pins
Napięcie zasilania, maks.
3.3V
Temperatura robocza, maks.
85°C
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000008
Śledzenie produktu