Drukuj stronę
BSC0921NDIATMA1
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaBSC0921NDIATMA1
Nr katalogowy Farnell2726088RL
Asortyment produktówOptiMOS Series
Inna nazwaBSC0921NDI, SP000934748
Karta katalogowa
9 963 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 2,970 zł |
| 500+ | 2,680 zł |
| 1000+ | 2,500 zł |
| 5000+ | 2,280 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
317,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBSC0921NDIATMA1
Nr katalogowy Farnell2726088RL
Asortyment produktówOptiMOS Series
Inna nazwaBSC0921NDI, SP000934748
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N30V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P30V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N40A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P40A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N3900µohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P3900µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTISON
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N2.5W
Rozproszenie mocy, kanał typu P2.5W
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówOptiMOS Series
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
- Podwójny MOSFET N-kanałowy OptiMOS™
- Zoptymalizowano dla wysokowydajnej przetwornicy buck
- Poziom logiczny: wartość znamionowa 4.5V
- Wersja N-kanałowa
- Z kwalifikacją zgodnie z JEDEC dla aplikacji docelowych
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt przyczyniło się do wydłużenia czasu realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
30V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
40A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
3900µohm
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
2.5W
Asortyment produktów
OptiMOS Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
30V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
40A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
3900µohm
Rodzaj obudowy tranzystora
TISON
Rozproszenie mocy, kanał typu N
2.5W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000143
Śledzenie produktu