Drukuj stronę
BSC155N06NDATMA1
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaBSC155N06NDATMA1
Nr katalogowy Farnell3577278RL
Asortyment produktówOptiMOS-T2 Series
Inna nazwaBSC155N06ND, SP003883348
Karta katalogowa
4 820 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 2,180 zł |
| 500+ | 2,130 zł |
| 1000+ | 2,110 zł |
| 5000+ | 2,030 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
238,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBSC155N06NDATMA1
Nr katalogowy Farnell3577278RL
Asortyment produktówOptiMOS-T2 Series
Inna nazwaBSC155N06ND, SP003883348
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds60V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N60V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P60V
Prąd ciągły Id drenu20A
Prąd ciągły Id drenu, kanał N20A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P20A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.0155ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P-
Rodzaj obudowy tranzystoraTDSON
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N50W
Rozproszenie mocy, kanał typu P50W
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówOptiMOS-T2 Series
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
60V
Prąd ciągły Id drenu
20A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
20A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
-
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
50W
Asortyment produktów
OptiMOS-T2 Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds
60V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
60V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
20A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.0155ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
TDSON
Rozproszenie mocy, kanał typu N
50W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000209
Śledzenie produktu