Drukuj stronę
BSC190N12NS3GATMA1
MOSFET mocy, Kanał typu N, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, montaż powierzchniowy
1 812 W Magazynie
38 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 8,020 zł |
| 50+ | 4,850 zł |
| 250+ | 3,410 zł |
| 1000+ | 2,520 zł |
| 3000+ | 2,400 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
40,10 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBSC190N12NS3GATMA1
Nr katalogowy Farnell2725816
Asortyment produktówOptiMOS 3
Inna nazwaBSC190N12NS3 G, SP000652752
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds120V
Prąd ciągły Id drenu44A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.019ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTDSON
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3V
Rozproszenie mocy69W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówOptiMOS 3
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
- Optima's ™ 3 power transistor
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
44A
Rodzaj obudowy tranzystora
TDSON
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
69W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
120V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.019ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
OptiMOS 3
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000177