Drukuj stronę
BSP125H6433XTMA1
MOSFET mocy, Kanał typu N, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, montaż powierzchniowy
8 831 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 50+ | 1,680 zł |
| 250+ | 1,480 zł |
| 1000+ | 1,280 zł |
| 2000+ | 1,170 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
188,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBSP125H6433XTMA1
Nr katalogowy Farnell2781159RL
Asortyment produktówSIPMOS
Inna nazwaBSP125 H6433, SP001058578
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds600V
Prąd ciągły Id drenu120mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”45ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-223
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.9V
Rozproszenie mocy1.8W
Liczba pinów4Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówSIPMOS
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
- N-kanałowy tranzystor mocy 600V, 0.12A SIPMOS® umieszczony w 4-pinowej obudowie SOR-223
- Kanał wzbogacony
- Logic level
- dV/dt
- Z kwalifikacją zgodnie z AEC Q101
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
120mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-223
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
1.8W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
600V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
45ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.9V
Liczba pinów
4Pins
Asortyment produktów
SIPMOS
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze BSP125H6433XTMA1
Znaleziono 7 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000152
Śledzenie produktu