Drukuj stronę
BSP135H6433XTMA1
MOSFET mocy, Kanał typu N, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, montaż powierzchniowy
6 533 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 2,270 zł |
| 1000+ | 2,090 zł |
| 5000+ | 1,940 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 1
1 155,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBSP135H6433XTMA1
Nr katalogowy Farnell3227616RL
Asortyment produktówSIPMOS
Inna nazwaBSP135 H6433, SP001058592
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraKanał N
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds600V
Prąd ciągły Id drenu120mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”25ohm
Rezystancja przewodzenia Rds(on)25ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-223
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.4V
Rozproszenie mocy1.8W
Rozpraszanie mocy Pd1.8W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówSIPMOS
KwalifikacjaAEC-Q101
Kwalifikacja motoryzacyjnaAEC-Q101
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze BSP135H6433XTMA1
Znaleziono 7 produktów
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Napięcie drenu / źródła Vds
600V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
25ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-223
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
1.8W
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
SIPMOS
Kwalifikacja motoryzacyjna
AEC-Q101
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
120mA
Rezystancja przewodzenia Rds(on)
25ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.4V
Rozpraszanie mocy Pd
1.8W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00039
Śledzenie produktu