Drukuj stronę
BSS159NH6327XTSA2
MOSFET mocy, Kanał typu N, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaBSS159NH6327XTSA2
Nr katalogowy Farnell2443481
Inna nazwaBSS159N H6327, SP000919328
Karta katalogowa
34 848 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 2,110 zł |
| 50+ | 1,390 zł |
| 250+ | 0,780 zł |
| 1000+ | 0,600 zł |
| 3000+ | 0,460 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
10,55 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaBSS159NH6327XTSA2
Nr katalogowy Farnell2443481
Inna nazwaBSS159N H6327, SP000919328
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds60V
Prąd ciągły Id drenu230mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”3.5ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs2.8V
Rozproszenie mocy360mW
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
- N-kanałowy tranzystor małosygnałowego SIPMOS®
- Tryb zubożenia
- dV/dot
- Z kwalifikacją zgodnie z AEC Q101
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt przyczyniło się do wydłużenia czasu realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
230mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
360mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
60V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
3.5ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
2.8V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze BSS159NH6327XTSA2
Znaleziono 4 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000635
Śledzenie produktu