Drukuj stronę
DF120R12W2H3B27BOMA1
moduł IGBT, inwerter 3-fazowy, 50 A, 2.05 V, 180 W, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaDF120R12W2H3B27BOMA1
Nr katalogowy Farnell3816937
Asortyment produktówEasyPACK 2B
Inna nazwaSP001025032, DF120R12W2H3_B27
Karta katalogowa
27 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 187,410 zł |
| 5+ | 168,670 zł |
| 10+ | 121,830 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
187,41 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaDF120R12W2H3B27BOMA1
Nr katalogowy Farnell3816937
Asortyment produktówEasyPACK 2B
Inna nazwaSP001025032, DF120R12W2H3_B27
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTinwerter 3-fazowy
Prąd kolektora DC50A
Prąd ciągły kolektora50A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)2.05V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2.05V
Rozproszenie mocy180W
Rozpraszanie mocy Pd180W
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Technologia IGBTIGBT 3 High Speed
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEasyPACK 2B
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
inwerter 3-fazowy
Prąd ciągły kolektora
50A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2.05V
Rozpraszanie mocy Pd
180W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
wciskane
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Prąd kolektora DC
50A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
2.05V
Rozproszenie mocy
180W
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Technologia IGBT
IGBT 3 High Speed
Asortyment produktów
EasyPACK 2B
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):1.795