Drukuj stronę
DF80R12W2H3FB11BPSA1
moduł IGBT, podwójna (półmostkowa), 80 A, 1.55 V, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaDF80R12W2H3FB11BPSA1
Nr katalogowy Farnell3625426
Asortyment produktówEasyPACK CoolSiC
Inna nazwaDF80R12W2H3F_B11, SP001602664
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 12 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 269,660 zł |
| 5+ | 246,620 zł |
| 10+ | 223,530 zł |
| 50+ | 219,060 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
269,66 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaDF80R12W2H3FB11BPSA1
Nr katalogowy Farnell3625426
Asortyment produktówEasyPACK CoolSiC
Inna nazwaDF80R12W2H3F_B11, SP001602664
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpodwójna (półmostkowa)
Prąd kolektora DC80A
Prąd ciągły kolektora80A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.55V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.55V
Rozproszenie mocy-
Rozpraszanie mocy Pd-
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Technologia IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEasyPACK CoolSiC
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
podwójna (półmostkowa)
Prąd ciągły kolektora
80A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.55V
Rozpraszanie mocy Pd
-
Temperatura robocza, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
wciskane
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Prąd kolektora DC
80A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.55V
Rozproszenie mocy
-
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Technologia IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
EasyPACK CoolSiC
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001
Śledzenie produktu