Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaF3L150R07W2E3B11BOMA1
Nr katalogowy Farnell2709947
Inna nazwaF3L150R07W2E3_B11, SP000638568
Karta katalogowa
8 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 252,900 zł |
| 5+ | 222,610 zł |
| 10+ | 192,310 zł |
| 50+ | 188,470 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
252,90 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaF3L150R07W2E3B11BOMA1
Nr katalogowy Farnell2709947
Inna nazwaF3L150R07W2E3_B11, SP000638568
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTinwerter 3-poziomowy
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd kolektora DC150A
Prąd ciągły kolektora150A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.45V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.45V
Rozpraszanie mocy Pd335W
Rozproszenie mocy335W
Temperatura robocza, maks.150°C
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo650V
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter650V
Technologia IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
inwerter 3-poziomowy
Prąd kolektora DC
150A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.45V
Rozpraszanie mocy Pd
335W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
650V
Zakończenie IGBT
wciskane
Technologia IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
-
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły kolektora
150A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.45V
Rozproszenie mocy
335W
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
650V
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.003184
Śledzenie produktu