Drukuj stronę
F3L200R12W2H3B11BPSA1
moduł IGBT, inwerter 3-poziomowy, 100 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaF3L200R12W2H3B11BPSA1
Nr katalogowy Farnell2726108
Asortyment produktówEasyPACK 2B
Inna nazwaF3L200R12W2H3_B11, SP001197126
Karta katalogowa
5 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 272,650 zł |
| 5+ | 259,020 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
272,65 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaF3L200R12W2H3B11BPSA1
Nr katalogowy Farnell2726108
Asortyment produktówEasyPACK 2B
Inna nazwaF3L200R12W2H3_B11, SP001197126
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTinwerter 3-poziomowy
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd kolektora DC100A
Prąd ciągły kolektora100A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.55V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.55V
Rozpraszanie mocy Pd600W
Rozproszenie mocy600W
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 3 High Speed
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEasyPACK 2B
Substancje SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
inwerter 3-poziomowy
Prąd kolektora DC
100A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.55V
Rozpraszanie mocy Pd
600W
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Zakończenie IGBT
wciskane
Technologia IGBT
IGBT 3 High Speed
Asortyment produktów
EasyPACK 2B
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły kolektora
100A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.55V
Rozproszenie mocy
600W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.005488
Śledzenie produktu