Drukuj stronę
FF300R07KE4HOSA1
moduł IGBT, podwójne, 365 A, 1.55 V, 940 W, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFF300R07KE4HOSA1
Nr katalogowy Farnell2377252
Inna nazwaFF300R07KE4, SP000849136
Karta katalogowa
10 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 343,000 zł |
| 5+ | 315,570 zł |
| 10+ | 288,140 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
343,00 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFF300R07KE4HOSA1
Nr katalogowy Farnell2377252
Inna nazwaFF300R07KE4, SP000849136
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpodwójne
Biegunowość tranzystoraPodwójny NPN
Prąd kolektora DC365A
Prąd ciągły kolektora365A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.55V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.55V
Rozpraszanie mocy Pd940W
Rozproszenie mocy940W
Temperatura robocza, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo650V
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Liczba pinów7Pins
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter650V
Technologia IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The FF300R07KE4 is a 62mm C-series IGBT Module with Trench/field-stop IGBT4 and emitter controlled diode. It is suitable for high power converters and UPS system.
- Extended operating temperature
- High short-circuit capability, self limiting short-circuit current
- High creepage and clearance distances
- Isolated base plate
- Standard housing
- Flexibility
- Optimal electrical performance
- High reliability
- 2.5kVAC Insulation voltage (1 minute)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
podwójne
Prąd kolektora DC
365A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.55V
Rozpraszanie mocy Pd
940W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Liczba pinów
7Pins
Maks. napięcie kolektor-emiter
650V
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Biegunowość tranzystora
Podwójny NPN
Prąd ciągły kolektora
365A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.55V
Rozproszenie mocy
940W
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
650V
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Zakończenie IGBT
wciskane
Technologia IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 3 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.25
Śledzenie produktu