Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFF500R17KE4BOSA1
Nr katalogowy Farnell2986498
Inna nazwaFF500R17KE4, SP001500362
Karta katalogowa
2 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 780,450 zł |
| 5+ | 764,830 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
780,45 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFF500R17KE4BOSA1
Nr katalogowy Farnell2986498
Inna nazwaFF500R17KE4, SP001500362
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpodwójna (półmostkowa)
Biegunowość tranzystoraPodwójny kanał N
Prąd kolektora DC500A
Prąd ciągły kolektora500A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.95V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.95V
Rozpraszanie mocy Pd-
Rozproszenie mocy-
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.7kV
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTzatrzask
Maks. napięcie kolektor-emiter1.7kV
Technologia IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
podwójna (półmostkowa)
Prąd kolektora DC
500A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.95V
Rozpraszanie mocy Pd
-
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Temperatura robocza, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
zatrzask
Technologia IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
-
Biegunowość tranzystora
Podwójny kanał N
Prąd ciągły kolektora
500A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.95V
Rozproszenie mocy
-
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.7kV
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.7kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00036
Śledzenie produktu