Drukuj stronę
FF600R07ME4BPSA1
moduł IGBT, podwójne, 600 A, 1.55 V, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFF600R07ME4BPSA1
Nr katalogowy Farnell3407520
Asortyment produktówEconoDUAL 3
Inna nazwaFF600R07ME4, SP000840484
Karta katalogowa
2 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 640,810 zł |
| 5+ | 591,600 zł |
| 10+ | 542,350 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
640,81 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFF600R07ME4BPSA1
Nr katalogowy Farnell3407520
Asortyment produktówEconoDUAL 3
Inna nazwaFF600R07ME4, SP000840484
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpodwójne
Prąd ciągły kolektora600A
Prąd kolektora DC600A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.55V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.55V
Rozpraszanie mocy Pd-
Rozproszenie mocy-
Temperatura robocza, maks.150°C
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTzatrzask
Maks. napięcie kolektor-emiter650V
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo650V
Technologia IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEconoDUAL 3
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
podwójne
Prąd kolektora DC
600A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.55V
Rozproszenie mocy
-
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
zatrzask
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
650V
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Prąd ciągły kolektora
600A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.55V
Rozpraszanie mocy Pd
-
Temperatura robocza, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
650V
Technologia IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
EconoDUAL 3
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.410501
Śledzenie produktu