FM25V10-GTR

FM25V10-GTR to pamięć nieulotna F-RAM, 1 Mbit, z interfejsem SPI, w 8-pinowej obudowie SOIC. Wykorzystuje zaawansowany proces ferroelektryczny. Wykonuje operacje odczytu i zapisu podobne do pamięci RAM. Zapewnia niezawodne przechowywanie danych przez 151 lat, eliminując jednocześnie złożoność, narzut i problemy z niezawodnością systemu spowodowane przez szeregową pamięć flash, pamięć EEPROM i inne pamięci nieulotne. W przeciwieństwie do szeregowej pamięci flash i pamięci EEPROM, FM25V10 wykonuje operacje zapisu z prędkością magistrali. Nie występują opóźnienia zapisu. Dane są zapisywane do tablicy pamięci natychmiast po pomyślnym przesłaniu każdego bajtu do urządzenia. Kolejny cykl magistrali może rozpocząć się bez konieczności odpytywania danych. Zapewnia większą trwałość zapisu w porównaniu z innymi pamięciami nieulotnymi. FM25V10 może obsłużyć 10^14 cykli odczytu/zapisu, czyli 100 milionów razy więcej cykli zapisu niż pamięć EEPROM.

• Ferroelektryczna pamięć o swobodnym dostępie (F-RAM) 1 Mbit zorganizowana logicznie jako 128 K × 8
• Bardzo szybki interfejs SPI
• Bezpośrednia wymiana sprzętu dla pamięci flash szeregowej i EEPROM
• Niski pobór mocy: prąd czynny 300 µA przy 1 MHz, prąd w trybie czuwania 90 µA (typowo)
• Działanie przy niskim napięciu: VDD = 2,7 V do 3,6 V
• Zakres temperatury przemysłowej: od -40°C do +85°C