FM25W256-GTR

FM25W256-GTR to nieulotna pamięć szeregowa (SPI) F-RAM, 256-Mbit (32K × 8). Wykorzystuje zaawansowany proces ferroelektryczny. Wykonuje operacje odczytu i zapisu podobne do pamięci RAM. Zapewnia niezawodne przechowywanie danych przez 151 lat, eliminując jednocześnie złożoność, narzut i problemy z niezawodnością systemu spowodowane przez szeregową pamięć flash, EEPROM i inne pamięci nieulotne. FM25W256 obsługuje 10^14 cykli odczytu/zapisu, czyli 100 milionów razy więcej cykli zapisu niż EEPROM. Idealnie nadaje się do zastosowań z pamięcią nieulotną wymagających częstych lub szybkich zapisów. Przykłady obejmują zbieranie danych, gdzie liczba cykli zapisu może być krytyczna, oraz wymagające systemy sterowania przemysłowego, w których długi czas zapisu pamięci szeregowej (flash lub EEPROM) może powodować utratę danych. Pamięć ta przynosi znaczące korzyści użytkownikom pamięci EEPROM lub flash szeregowej jako bezpośredni zamiennik sprzętowy.

• Technologia No Delay™ zapisuje dane w zaawansowanym procesie ferroelektrycznym o wysokiej niezawodności
• Bardzo szybki interfejs SPI o częstotliwości do 20 MHz
• Bezpośrednia wymiana sprzętu dla pamięci flash szeregowej i EEPROM
• Obsługuje tryb SPI 0 (0, 0) i tryb 3 (1, 1)
• Zaawansowana ochrona przed zapisem, ochrona sprzętowa wykorzystująca pin zabezpieczający przed zapisem (aktywny niski WP)
• Ochrona programowa za pomocą instrukcji wyłączania zapisu, ochrona bloków programowych dla 1/4, 1/2 lub całej tablicy
• Szeroki zakres napięcia roboczego: VDD=2,7 V do 5,5 V
• Prąd zasilania VDD wynosi 0,25 mA przy fSCK=1 MHz
• Prąd czuwania VDD wynosi typowo 15 µA przy aktywnym w stanie niskim CS=VDD, wszystkie inne wejścia VSS lub VDD
• Obudowa SOIC, 8 wyprowadzeń, zakres temperatury przemysłowej od -40°C do +85°C