Drukuj stronę
FP10R12W1T4B11BOMA1
moduł IGBT, 3-fazowy prostownik wejściowy PIM, 10 A, 1.85 V, 105 W, 175 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFP10R12W1T4B11BOMA1
Nr katalogowy Farnell3227671
Inna nazwaFP10R12W1T4_B11, SP000707708
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 149,470 zł |
| 5+ | 125,460 zł |
| 10+ | 101,410 zł |
| 50+ | 99,380 zł |
| 100+ | 97,360 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
149,47 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFP10R12W1T4B11BOMA1
Nr katalogowy Farnell3227671
Inna nazwaFP10R12W1T4_B11, SP000707708
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBT3-fazowy prostownik wejściowy PIM
Prąd ciągły kolektora10A
Prąd kolektora DC10A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.85V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.85V
Rozpraszanie mocy Pd105W
Rozproszenie mocy105W
Temperatura robocza, maks.175°C
Temperatura złącza Tj, maks.175°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTwciskane
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
3-fazowy prostownik wejściowy PIM
Prąd kolektora DC
10A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.85V
Rozproszenie mocy
105W
Temperatura złącza Tj, maks.
175°C
Zakończenie IGBT
wciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Prąd ciągły kolektora
10A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.85V
Rozpraszanie mocy Pd
105W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Technologia IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00016
Śledzenie produktu