Drukuj stronę
FP15R12KE3GBOSA1
moduł IGBT, 3-fazowy prostownik wejściowy PIM, 25 A, 1.7 V, 105 W, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFP15R12KE3GBOSA1
Nr katalogowy Farnell2781240
Asortyment produktówEconoPIM 2
Inna nazwaFP15R12KE3G, SP000100425
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 28 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 10+ | 181,380 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 10
Wiele: 10
1 813,80 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFP15R12KE3GBOSA1
Nr katalogowy Farnell2781240
Asortyment produktówEconoPIM 2
Inna nazwaFP15R12KE3G, SP000100425
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBT3-fazowy prostownik wejściowy PIM
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd ciągły kolektora25A
Prąd kolektora DC25A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.7V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.7V
Rozpraszanie mocy Pd105W
Rozproszenie mocy105W
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEconoPIM 2
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
3-fazowy prostownik wejściowy PIM
Prąd ciągły kolektora
25A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.7V
Rozpraszanie mocy Pd
105W
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Zakończenie IGBT
wciskane
Technologia IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
EconoPIM 2
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd kolektora DC
25A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.7V
Rozproszenie mocy
105W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001
Śledzenie produktu