Drukuj stronę
FP15R12W1T4_B3
moduł IGBT, PIM, 15 A, 1.85 V, 130 W, 150 °C, Module
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFP15R12W1T4_B3
Nr katalogowy Farnell1833569
Asortyment produktówCompute Module 3+ Series
Inna nazwaSP000255356
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 16 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 149,260 zł |
| 5+ | 125,210 zł |
| 10+ | 101,150 zł |
| 50+ | 99,130 zł |
| 100+ | 97,100 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
149,26 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFP15R12W1T4_B3
Nr katalogowy Farnell1833569
Asortyment produktówCompute Module 3+ Series
Inna nazwaSP000255356
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTPIM
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd kolektora DC15A
Prąd ciągły kolektora15A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.85V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.85V
Rozproszenie mocy130W
Rozpraszanie mocy Pd130W
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModule
Zakończenie IGBTwciskane
Liczba pinów20Pins
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 4
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówCompute Module 3+ Series
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Specyfikacja
The FP15R12W1T4_B3 is an EasyPIM™ 1B 3-phase rectifier IGBT Module with Trench/field-stop IGBT4 and emitter controlled 4 diode and NTC (without brake chopper). It is suitable for auxiliary inverters and air conditioning.
- Low switching losses
- V(CEsat) with positive temperature coefficient
- Al2O₃ substrate with low thermal resistance
- Compact design
- Solder contact technology
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps
- Compact module concept
- Configuration flexibility
Zastosowania
Zarządzanie zasilaniem, HVAC, Napęd i kontrola silnika
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
PIM
Prąd kolektora DC
15A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.85V
Rozproszenie mocy
130W
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Temperatura robocza, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
wciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły kolektora
15A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.85V
Rozpraszanie mocy Pd
130W
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystora
Module
Liczba pinów
20Pins
Technologia IGBT
IGBT 4
Asortyment produktów
Compute Module 3+ Series
Dokumentacja techniczna (3)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze FP15R12W1T4_B3
Znaleziono 1 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.024
Śledzenie produktu