Drukuj stronę
FP15R12W1T4B3BOMA1
moduł IGBT, 3-fazowy prostownik wejściowy PIM, 15 A, 1.85 V, 130 W, 175 °C, Moduł
45 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 148,970 zł |
| 5+ | 124,950 zł |
| 10+ | 100,940 zł |
| 50+ | 98,920 zł |
| 100+ | 96,890 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
148,97 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFP15R12W1T4B3BOMA1
Nr katalogowy Farnell3227672
Asortyment produktówEasyPIM
Inna nazwaFP15R12W1T4_B3, SP000255356
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBT3-fazowy prostownik wejściowy PIM
Prąd ciągły kolektora15A
Prąd kolektora DC15A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.85V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.85V
Rozpraszanie mocy Pd130W
Rozproszenie mocy130W
Temperatura robocza, maks.175°C
Temperatura złącza Tj, maks.175°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Technologia IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEasyPIM
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
3-fazowy prostownik wejściowy PIM
Prąd kolektora DC
15A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.85V
Rozproszenie mocy
130W
Temperatura złącza Tj, maks.
175°C
Zakończenie IGBT
wciskane
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Prąd ciągły kolektora
15A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.85V
Rozpraszanie mocy Pd
130W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Technologia IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
EasyPIM
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00016