Drukuj stronę
FP25R12W2T4
moduł IGBT, PIM, 25 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFP25R12W2T4
Nr katalogowy Farnell1833566
Asortyment produktówCompute Module 3+ Series
Inna nazwaSP000307561
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 13 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 182,010 zł |
| 5+ | 168,040 zł |
| 10+ | 154,070 zł |
| 50+ | 150,990 zł |
| 100+ | 147,910 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
182,01 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFP25R12W2T4
Nr katalogowy Farnell1833566
Asortyment produktówCompute Module 3+ Series
Inna nazwaSP000307561
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTPIM
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd ciągły kolektora25A
Prąd kolektora DC25A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.85V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.85V
Rozproszenie mocy175W
Rozpraszanie mocy Pd175W
Temperatura robocza, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModule
Zakończenie IGBTwciskane
Liczba pinów23Pins
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 4
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówCompute Module 3+ Series
Substancje SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Specyfikacja
FP25R12W2T4 to moduł EasyPIM™ 2B PIM IGBT z szybkim układem IGBT4 Trench/field-stop, 4 diodami kontrolera emitera oraz z kontrolerem NTC.
- Duża gęstość mocy
- Prosta koncepcja modułowa
- Dostępny zintegrowany czujnik temperatury
- Moduł z niewielkim zakresem indukcyjności błądzącej
- Kompaktowy moduł
- Elastyczność konfiguracji
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt przyczyniło się do wydłużenia czasu realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
PIM
Prąd ciągły kolektora
25A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.85V
Rozproszenie mocy
175W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
wciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd kolektora DC
25A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.85V
Rozpraszanie mocy Pd
175W
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystora
Module
Liczba pinów
23Pins
Technologia IGBT
IGBT 4
Asortyment produktów
Compute Module 3+ Series
Dokumentacja techniczna (1)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze FP25R12W2T4
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.039
Śledzenie produktu