Drukuj stronę
FP35R12W2T4BOMA1
moduł IGBT, 3-fazowy prostownik wejściowy PIM, 54 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFP35R12W2T4BOMA1
Nr katalogowy Farnell2726163
Asortyment produktówEasyPIM 2B
Inna nazwaFP35R12W2T4, SP000307559
Karta katalogowa
7 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 215,010 zł |
| 5+ | 187,370 zł |
| 10+ | 159,680 zł |
| 50+ | 158,970 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
215,01 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFP35R12W2T4BOMA1
Nr katalogowy Farnell2726163
Asortyment produktówEasyPIM 2B
Inna nazwaFP35R12W2T4, SP000307559
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBT3-fazowy prostownik wejściowy PIM
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd kolektora DC54A
Prąd ciągły kolektora54A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.85V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.85V
Rozpraszanie mocy Pd215W
Rozproszenie mocy215W
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEasyPIM 2B
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
3-fazowy prostownik wejściowy PIM
Prąd kolektora DC
54A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.85V
Rozpraszanie mocy Pd
215W
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Zakończenie IGBT
wciskane
Technologia IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
EasyPIM 2B
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły kolektora
54A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.85V
Rozproszenie mocy
215W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00041
Śledzenie produktu