Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFP40R12KT3GBOSA1
Nr katalogowy Farnell2726166
Asortyment produktówEconoPIM 3
Inna nazwaFP40R12KT3G, SP000100442
Karta katalogowa
Wycofano z magazynu
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFP40R12KT3GBOSA1
Nr katalogowy Farnell2726166
Asortyment produktówEconoPIM 3
Inna nazwaFP40R12KT3G, SP000100442
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBT3-fazowy prostownik wejściowy PIM
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd ciągły kolektora55A
Prąd kolektora DC55A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.8V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.8V
Rozproszenie mocy210W
Rozpraszanie mocy Pd210W
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Temperatura robocza, maks.125°C
Temperatura złącza Tj, maks.125°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModule
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEconoPIM 3
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Specyfikacja
Dla lepszej kontroli silnika: Nowe moduły EconoPIM™ 3 są w pełni zintegrowanym rozwiązaniem w jednej obudowie, z wykorzystaniem technologii Trenchstop™ IGBT 4. Seria EconoPIM 3 jest połączeniem mostka prostowniczego, układu zatrzymującego, stopnia inwertera oraz NTC w jednej obudowie - aby umożliwić systemowe oszczędności kosztów.
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
3-fazowy prostownik wejściowy PIM
Prąd ciągły kolektora
55A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.8V
Rozproszenie mocy
210W
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Temperatura złącza Tj, maks.
125°C
Zakończenie IGBT
wciskane
Technologia IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
EconoPIM 3
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd kolektora DC
55A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.8V
Rozpraszanie mocy Pd
210W
Temperatura robocza, maks.
125°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Module
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000306
Śledzenie produktu