Drukuj stronę
FS150R12KT4B9BOSA1
moduł IGBT, Trench/Fieldstop, 6x (mostek pełny), 150 A, 1.75 V, 750 W, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFS150R12KT4B9BOSA1
Nr katalogowy Farnell2803385
Asortyment produktówEconoPACK 3
Inna nazwaFS150R12KT4_B9, SP000862502
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 14 tydzień (tygodnie)
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 10+ | 583,080 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 10
Wiele: 10
5 830,80 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFS150R12KT4B9BOSA1
Nr katalogowy Farnell2803385
Asortyment produktówEconoPACK 3
Inna nazwaFS150R12KT4_B9, SP000862502
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBT6x (mostek pełny)
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd kolektora DC150A
Prąd ciągły kolektora150A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.75V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.75V
Rozpraszanie mocy Pd750W
Rozproszenie mocy750W
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Temperatura robocza, maks.150°C
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEconoPACK 3
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
6x (mostek pełny)
Prąd kolektora DC
150A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.75V
Rozpraszanie mocy Pd
750W
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
wciskane
Technologia IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
EconoPACK 3
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły kolektora
150A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.75V
Rozproszenie mocy
750W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000308